Transistoritekniikan innovaatio: Uusi tekniikka voi lisätä jäähdytyskapasiteettia yli kahdesti!

Puolijohdelaitteiden lisääntyvän pienentymisen myötä on syntynyt kysymyksiä, kuten lisääntynyt tehotiheys ja lämmöntuotanto, jotka voivat vaikuttaa näiden laitteiden suorituskykyyn, luotettavuuteen ja elinkaareen. Gallium -nitridi (GAN) timantilla on lupaavia näkymiä seuraavan sukupolven puolijohdemateriaalina, koska molemmilla materiaaleilla on laaja kaistalevy, jotka mahdollistavat timantin korkean johtavuuden ja korkean lämmönjohtavuuden sijoittamalla ne erinomaisiksi lämmön hajoamisalustaksi.
Raporttien mukaan Osakan Metropolitan Universityn tutkimusryhmä on käyttänyt timanttia, joka on maapallon lämpöä johtavin luonnollinen materiaali, substraattina galliumnitridin (GAN) transistorien luomiseksi, joiden perinteisten transistorien lämmön hajoamiskapasiteetti on yli kaksi kertaa. Viimeisimmässä tutkimuksessa Osakan julkisen yliopiston tutkijat ovat onnistuneesti valmistaneet GAN -korkean elektronien liikkuvuustransistoreita käyttämällä timanttia substraattina. Tämän uuden tekniikan lämmön hajoaminen on yli kaksinkertainen vastaavasti muotoilluilla transistoreilla, jotka on valmistettu piikarbidialusta (sic). Vähentää merkittävästi rajapinnan lämpövastusta ja parantaa lämmön hajoamiskykyä.